DDR/DDR2/DDR3 SDRAM 記憶體詳解

-DRAM
　　動態隨機存取記憶體（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導體記憶體，主要的作用原理是利用電容內儲存電荷的多寡來代表一個二進位位元（bit）是1還是0。由於在現實中電容會有漏電的現象，導致電位差不足而使記憶消失，因此除非電容經常周期性地充電，否則無法確保記憶長存。由於這種需要定時刷新的特性，因此被稱為「動態」記憶體。相對來說，「靜態」記憶體（SRAM）只要存入資料後，縱使不刷新也不會遺失記憶。
　　DRAM的記憶單元與SRAM相比，DRAM的優勢在於結構簡單——每一個位元的資料都只需一個電容跟一個電晶體來處理，相比之下在SRAM上一個位元通常需要六個電晶體。正因這緣故，DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有存取速度較慢，耗電量較大的缺點。
　　與大部分的隨機存取記憶體（RAM）一樣，由於存在DRAM中的資料會在電力切斷以後立刻消失，因此它屬於一種揮發性記憶體（volatile memory）設備。


-SDRAM
　　SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步動態隨機存儲器）的簡稱，是前幾年普遍使用的內存形式。 SDRAM採用3.3v工作電壓，帶寬64位，SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起，使RAM和CPU能夠共享一個時鐘週期，以相同的速度同步工作，與EDO內存相比速度能提高50％。 SDRAM基於雙存儲體結構，內含兩個交錯的存儲陣列，當CPU從一個存儲體或陣列訪問數據時，另一個就已為讀寫數據做好了準備，通過這兩個存儲陣列的緊密切換，讀取效率就能得到成倍的提高。 SDRAM不僅可用作主存，在顯示卡上的顯存方面也有廣泛應用。 SDRAM曾經是長時間使用的主流內存，從430TX芯片組到845芯片組都支持SDRAM。

-DDR SDAM
　　雙通道同步動態隨機存儲器（雙通道同步動態隨機存取記憶體）即DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) 為具有雙倍資料傳輸率之SDRAM，其資料傳輸速度為系統時脈之兩倍，由於速度增加，其傳輸效能優於傳統的SDRAM。
　　由於傳統SDRAM在運作時，一個單位時間內只能讀/寫一次，當同時需要讀取和寫入時，便要等其中一個動作完成才能繼續進行下一個動作。而DDR SDRAM則解決這項缺點，由於讀取和寫入可以在一個單位時間內進行，因此效能便會提升兩倍，這也便是為何DDR SDRAM的時脈要「自動乘以二」的緣故。
規格列表:



-DDR2 SDRAM
　　第二代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體（Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory，一般稱為 DDR2 SDRAM），是一種電腦記憶體規格。它屬於SDRAM家族的記憶體產品，提供了相較於DDR SDRAM更高的運行效能與更低的電壓，是DDR SDRAM（雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體）的後繼者，也是現時流行的記憶體產品。
規格列表:


-DDR3 SDRAM
　　第三代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體（Double-Data-Rate three Synchronous Dynamic Random Access Memory，一般稱為　DDR3 SDRAM）是一種用於高速存儲數據的計算機或其他電子裝置上的隨機存取記憶體技術。它是屬於SDRAM家族的記憶體技術並且是DRAM的其中一種，DDR3 SDRAM是它的前身 DDR2 SDRAM的後繼者.
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