SRAM 與 DRAM 特性比較

半導體技術分為:雙極性TTL/ECL，MOS，雙極性MOS

SRAM(靜態記憶體):所使用的儲存元件(例如閂閘)，只要不斷電就能長期儲存。

DRAM(動態記憶體):將資料儲存於電容，為了保持資料必須定期充電，而此充電的處理稱為更新(Refresh)